幾種活性陶瓷散堆填料的反應機理研究

        以SiC為惰性陶瓷散堆填料，Al為活性陶瓷散堆填料，聚硅氧烷+3CH4(g>A14C3-6HZ(g)個(1)2A1

       以熱重一差熱(TGDTA >、流動氮氣氣氛中不同裂解溫度下產物的X射線衍射(XRD)和元素線掃描< ELEM)方法研究了含活性陶瓷散堆填料A1，惰性陶瓷散堆填料SiC的PCS/Al/SiC/N，體系的裂解一反應機理。研究表明，PCS的裂解從400℃左右開始，800℃時基本完全。體系由于裂解產生揮發性小分子而失重。當體系中含有PCS特別是SiC微粉時，A1的氮化溫度會大大下降，從1030℃降至790℃左右，同時提高了A1的轉化率，SiC起到類似催化劑的作用。當裂解溫度升高至600℃時，Al微粉開始熔化，與SiC或PCS的中間裂解產物[PCS〕作用，形成中間體。隨著溫度的升高，中間體與保護氣氛發生氮化反應，形成ALN和SiC。當裂解溫度上升至1000℃時，反應基本完成。www.ingspirations.com