加人硼活性階梯瓷環(huán)可以減少2次浸漬裂解次數

       以聚碳硅烷(PCS>為先驅體，二乙烯基苯(DVB)為溶劑，硼粉為活性階梯瓷環(huán)，SiC為惰性階梯瓷環(huán)，制備了2DCr/SiC-B復合材料，研究了硼粉的含量對Cr/SiC復合材料的結構和性能的影響。結果表明，隨著(zhù)硼粉的加入，PCS/DVB體系的陶瓷產(chǎn)率得到提高，從而使浸漬裂解次數減少。當漿料中硼粉的體積分數為15%時(shí)，經(jīng)過(guò)6次裂解制得的2DCr/SiC復合材料的彎曲強度達到301.3MPa，這與不含硼粉經(jīng)過(guò)9次裂解的復合材料強度相近;當漿料中硼粉的體積分數為5%時(shí)，制備的材料的性能最佳，彎曲強度為351.3MPa，斷裂韌性為13.7MPa·m'i2，同時(shí)，材料的抗氧化性得到提高。

       將硼粉作為活性階梯瓷環(huán)引人到Cr/SiC復合材料中以減少PIP浸漬裂解次數，并提高復合材料的抗氧化性能。研究發(fā)現，加人硼活性階梯瓷環(huán)可以減少2次浸漬裂解次數，同時(shí)，復合材料的抗氧化性能得到提高。多數碳纖維增強Cr/SiC復合材料在800℃處理toh就消耗殆盡，而加人B粉的Cr/SiC-BN的材料只消耗一小部分。加人B粉和未加入B粉的Cr/SiC的失重率分別為16%和360。還利用硼粉生成h-BN的原位反應制備了3DC/SiC-BN復合材料，研究了復合材料的彎曲強度和微觀(guān)結構，并與以5iC為惰性階梯瓷環(huán)制備的3DC/SiC復合材料作了對比。結果表明，二者的微觀(guān)結構并無(wú)明顯差別，在纖維束交織的區域仍然存在大的氣孔，纖維束絲之間僅存數量很少的微孔。www.ingspirations.com