陶瓷散堆填料介電常數計算

       電介質相對介電常數與電容的關系為fr=C/C七(2)式中:C為介質平均電容;q為真空電容.由于真空電容與空氣電容相差不大，為了比較，假設空塔的電容為真空電容，根據式(2)，陶瓷散堆填料的相對介電常數見表4.表4陶瓷散堆填料的介電常數陶瓷散堆填料種類A類陶瓷B類陶瓷B類附膜相對介電常數:r1.571.752.32陶瓷散堆填料介電常數的變化及其對氣體放電的影響分析。

       由式(1)計算可知，A類陶瓷散堆填料的介電常數大于B類.然而，表4的結果與式(1)的計算結果相矛盾.形成這一結果的原因可能是，B類陶瓷散堆填料的孔隙率大，極容易吸附空氣中的水蒸氣或反應器反應過程中產生的水，由于水的相對介電常數為81，因此使得B類陶瓷散堆填料的介電常數增大;B類陶瓷散堆填料附著上納米Ti0:光催化劑后，由于Tiq的介電常數很大(Er=114，所以使得相對介電常數增加地更多，根據文獻中關于介質阻擋放電的基本原理:當放電極間有兩塊電介質存在時，兩介質間的電場強度隨著電介質介電常數的增加而增大.由此可以解釋，由于B類陶瓷散堆填料，特別是附著Ti0:光催化劑的B類陶瓷散堆填料的相對介電常數大于A類陶瓷散堆填料，因此在相同條件下B類陶瓷散堆填料之間的氣隙上氣體放電要強于A類陶瓷散堆填料之間的氣體放電，這樣就使得氣隙間的電子能夠獲得更大的能量，有利于等離子的產生和啟動化學反應，故而使反應器對含苯廢氣降解率得到了提高.另外，當反應器裝填了附著Ti0:光催化劑的B類陶瓷散堆填料時由于其介電常數較大因而其氣體放電強，放電期間在Ti0:光催化劑表面產生的紫外線多，有利于光催化劑發揮作用從而提高了反應器對含苯廢氣的降解率.

       (1)在本研究條件下，反應器中B類陶瓷的孔隙對含苯廢氣的直接吸附作用基本不會提高反應器的降解率.

       (2)由于B類陶瓷散堆填料的孔隙對水或水蒸氣有吸附作用，使其介電常數得到提高，進而提高了陶瓷散堆填料氣隙間的電場強度和放電強度，提高反應器的降解率.

       (3)Tiq光催化劑有利于提高陶瓷散堆填料的介電常數和反應器的氣體放電強度以及紫外線的產生強度，從而提高了反應器光催化的效果和對含苯氣體的降解率。www.ingspirations.com